直流二极型离子镀的原理如图9-17所示。它是行使基片以及蒸发祥两电极之间的辉光放电孕育发生离子，并正在基片上施加1～5kV负偏偏压，使离子减速撞向基片外表堆积成膜。

图9．17离子镀原理图

1一接负低压2一接地屏蔽3一基板4一等离子体5一挡板6一蒸发祥7一氩气阀8一真空零碎

因为辉光放电的气压较高(约1.33Pa)，对蒸镀熔点正在1400℃如下的金属，如Au、Ag、Cu等多采纳电阻加热蒸发祥。如用电子束蒸发祥，须行使压差板将电子枪室与离子镀膜层离开，并采纳两套真空零碎，以保障电子枪工作所需的高真空前提。总之，直流二极型离子镀设施简略，可用一般真空镀膜机改装，镀膜工艺容易完成。

离子镀时，正在工件外表堆积成膜的离子或原子的能量较高(102～103eV)，同时氩离子一直地轰击工件以及膜层外表，肃清了却合没有牢的

原子以及吸附于外表的剩余气体份子，从而明显地进步膜层的致密度以及膜基连系力。然而，也正由于轰击粒子能量高，对构成的膜层有溅射剥离作用，并惹起基片的温升。另外，较低的真空度易造成膜层净化。