请求(专利)号：200510085126.4

请求日：2005.07.20

称号：电化学电镀半导体晶圆的办法及其电镀安装

地下(布告)号：CN1812058

地下(布告)日：2006.08.02

主分类号：H01L21/3205(2006.01)I分案原请求号：

分类号：H01L21/3205(2006.01)I;C25D3/02(2006.01)I

颁证日：优先权：2005.1.25US11/043,601

请求(专利权)人：台湾积体电路制作股分无限公司

地点：台湾省新竹迷信产业园区新竹市力行六路8号

创造(设计)人：张中良;眭晓林

专利代办署理机构：北京华夏华以及常识产权代办署理无限责任公司 代办署理人：寿宁;张华辉

择要

本创造是无关于一种正在半导体晶圆上电镀导电材质的办法，当晶圆浸泡正在电镀液时，藉由减小电镀制程的电流值，以免构成的电镀导电材质孕育发生缺点。进一阵势，当晶圆浸泡正在电镀液以前，正在晶圆上施加一静电荷，藉以晋升用来控堆积速度的减速剂的排汇性，以改善电镀介层窗所孕育发生的缺点。而且行使设置于电镀液内部的电极将静电荷施加于晶圆上。

主权项

一、一种正在半导体晶圆上电镀一导电材质的办法，其特色正在于其至多包罗如下步骤：步骤(A)：将一晶圆浸泡正在一电镀液中;步骤(B)：施加一电压于该晶圆上;步骤(C)：对该电镀液与该晶光滑油滑以一电流;和步骤(D)：限定步骤(C)所通入的该电流，使患上浸泡该晶圆的该电流的密度小于或是等于0.1安培/cm2。