晶体铬镀层

   日期:2021-08-06     浏览:178    
核心提示:公开日 20071004发明人 BISHOP C V, ROUSSEAU A, MATHE Z一种具有{111}择优取向且晶格参数为(2.889 50.002 5)Å的晶体铬镀
 

公开日 20071004

发明人 BISHOP C V, ROUSSEAU A, MATHE Z

一种具有{111}择优取向且晶格参数为(2.889 5 ± 0.002 5) Å的晶体铬镀层,以及包含该铬镀层的工件。在基体上电沉积晶体铬镀层的工艺包括:(1)制备含三价铬及二价硫化合物的镀液(几乎不含六价铬),(2)将基体浸入镀液中,(3)施加电流使晶体铬沉积在基体上。

 









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