电镀组合物和电镀方法

   日期:2021-08-05     浏览:185    
核心提示:公开号 1867703公开日 20061122申请人 塞米图尔公司地址 美国蒙大拿州本发明公开了用于填充微电子工件(101)的凹陷微结构的电镀组
 

公开号 1867703

公开日 20061122

申请人 塞米图尔公司

地址 美国蒙大拿州

本发明公开了用于填充微电子工件(101)的凹陷微结构的电镀组合物和电镀方法,所述工件如具有金属化的半导体晶片。所述电镀组合物可包括铜和硫酸的混合物,其中铜的浓度对硫酸的浓度的比为约0.3 ~ 0.8 g/L(克/升溶液)。本发明公开的电镀组合物也可以包括铜和硫酸的混合物,其中当硫酸浓度为约65 ~ 150 g/L时铜的浓度接近其溶解度极限。所述电镀组合物也可包括常规的添加剂,如加速剂、抑制剂、卤化物和/或整平剂。本发明公开了用于在功能部件如在半导体工件上形成的沟槽和/或接触孔中电化学沉积导体材料的方法,包括适合在多阳极反应器中使用本发明公开的电镀液的方法。

 









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