【地下(布告)号】CN1653211

　　【请求人(专利权)】ACM钻研公司

　　【请求日期】2003-4-8 0:00:00

　　【地下(布告)日】2005-8-10 0:00:00

　　本创造一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀解决的设施以及办法。该设施包罗一荡涤模块，该荡涤模块具备一边缘荡涤组件(930)，用于去除了位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘荡涤设施包罗一喷嘴头(1030)，其往晶片主外表上供应液体以及气体，和正在供应液体、径向向内地位处供应气体，从而减小液体沿径向向内标的目的流到晶片上构成的金属薄膜的可能性。