地下日 20090312
创造人 hino e, kumagai m 地点 flynn thiel boutell & tanis, p.c., 2026 rambling road, kalamazoo, mi 49008-1631, us 目的是提供一种化学镀镍溶液,用于正在由多集成电路芯片组成的硅晶片上采纳化学镀的办法堆积膜厚平均的镍镀层,以便作为金属隆起焊盘以及焊料隆起焊盘的底拦阻金属。该化学镀镍溶液含有水溶性镍盐、复原剂、配位剂以及ph缓冲剂,此中铅离子、钴离子以及含硫化合物的含量均为0.01 ~ 1 ppm。 |