日立化成工业面向半导体芯片与封装基板连接的铜(cu)引线键合方式，确立了使用少量金(au)即可完成的无电解电镀技术。今后，将提供采用该技术的封装基板和电镀药品。

此前，引线键合材料采用电阻较低而且加工性和连接可靠性出色的au。不过，近年来au价格暴涨，因此业界开始采用低价的cu代替au。

cu引线键合一般采用对镍(ni)层和au层进行电解电镀的现有方式(电解电镀ni/au)。该方式也应用于au引线键合中。不过，电解电镀ni/au在基板的高密度化和低成本化方面还有问题。

因此,日立化成工业采用的是非电解电镀ni/钯(pd)/au。在ni层和au层之间设置pd层后，在降低ni扩散的基础上，可增大au结晶，因此即使au用量较少也能充分确保连接可靠性。该公司1995年开发出非电解电镀ni/pd/au的技术，并推进了au引线键合相关的研究，此次将该技术用于cu引线键合中，验证了可靠性。